MEMORY DEVICE FOR OPRERATING SELF REFRESH AND OPERATING METHOD THEREOF

본 기술은 셀프 리프레쉬 동작을 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템에 관한 것으로서, 셀프 리프레쉬 진입구간에서 설정된 주파수를 갖는 기준주기신호의 제1에지를 카운팅하여 카운팅코드를 생성하는 카운팅회로와, 기준주기신호의 제2에지에 동기된 온도감지코드를 수신하며, 셀프 리프레쉬 진입구간에서 동작제어신호의 토글링에 응답하여 온도감지코드를 온도적용코드로서 출력하고, 셀프 리프레쉬 탈출구간에서 초기화된 온도적용코드를 출력하는 온도코드출력회로와, 셀프 리프레쉬 진입구간에서 카운팅코드와 온도적용코드를 비교하고, 비교결과에 따라...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors LEE SANG HOON, BYEON SANG JIN, LEE KYO YUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 12.03.2024
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:본 기술은 셀프 리프레쉬 동작을 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템에 관한 것으로서, 셀프 리프레쉬 진입구간에서 설정된 주파수를 갖는 기준주기신호의 제1에지를 카운팅하여 카운팅코드를 생성하는 카운팅회로와, 기준주기신호의 제2에지에 동기된 온도감지코드를 수신하며, 셀프 리프레쉬 진입구간에서 동작제어신호의 토글링에 응답하여 온도감지코드를 온도적용코드로서 출력하고, 셀프 리프레쉬 탈출구간에서 초기화된 온도적용코드를 출력하는 온도코드출력회로와, 셀프 리프레쉬 진입구간에서 카운팅코드와 온도적용코드를 비교하고, 비교결과에 따라 토글링 여부가 제어되는 동작제어신호를 생성하는 신호생성회로, 및 셀프 리프레쉬 진입구간에서 동작제어신호가 토글링할 때마다 셀 어레이 영역에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는 리프레쉬 동작회로를 포함한다. An operating method of a memory device, comprising: entering self-refresh section, updating a counting code by counting an edge of a reference cycle signal, first activating an operation control signal for the self-refresh section when a temperature application code has an initialized value in response to the counting code, updating the temperature application code after the operation control signal is first activated, second activating the operation control signal in response to the counting code based on the updated temperature application code, exiting from the self-refresh section, and initializing the counting code and the temperature application code.
Bibliography:Application Number: KR20220111372