PHOTORESIST DEVELOPER AND METHOD OF DEVELOPING PHOTORESIST

• Main Authors: WENG MING HUI, ZI AN REN, LIU CHEN YU, CHANG CHING YU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.03.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

포토레지스트에 패턴을 형성하는 방법은, 기판 위에 포토레지스트 층을 형성하는 것, 및 포토레지스트 층을 화학 방사선에 선택적으로 노출시켜 잠재적 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 잠재적 패턴은 현상액 조성물을 선택적으로 노출된 포토레지스트 층에 도포하는 것에 의해 현상되어 패턴을 형성한다. 현상액 조성물은 15 < δd < 25, 10 < δp < 25, 및 6 < δh < 30의 한센 용해도 파라미터를 갖는 제1 용매; -15 < pKa < 5의 산 해리 상수(pKa)를 갖는 산, 또는 40 > pKa > 9.5의 pKa를 갖는 염기; 및 18보다 더 큰 유전 상수를 갖는 제2 용매를 포함한다. 제1 용매 및 제2 용매는 상이한 용매이다. A method of forming a pattern in a photoresist includes forming a photoresist layer over a substrate, and selectively exposing the photoresist layer to actinic radiation to form a latent pattern. The latent pattern is developed by applying a developer composition to the selectively exposed photoresist layer to form a pattern. The developer composition includes a first solvent having Hansen solubility parameters of 15<δd<25, 10<δp<25, and 6<δh<30; an acid having an acid dissociation constant, pKa, of −15<pKa<5, or a base having a pKa of 40>pKa>9.5; and a second solvent having a dielectric constant greater than 18. The first solvent and the second solvent are different solvents.