반도체 처리 시스템들에서의 플라즈마들의 모델 기반 특성화

반도체 프로세스들 동안 플라즈마들을 특성화하는 방법은, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 수신하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 반도체 프로세스는, 반도체 처리 시스템의 챔버 내부에 플라즈마를 생성하도록 구성될 수 있다. 방법은 또한, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 입력들로서 모델에 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 모델은, 챔버 내의 플라즈마들을 특성화하도록 훈련되었을 수 있다. 방법은 또한, 모델을 사용하여, 반도체 프로세스의 동작 조건들로부터 초래되는 챔버 내의 플라즈마의 특성화를 생성하는 단계를 포...

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Main Authors CHO HUNKEE, JUNG SOONWOOK, SCHATZ KENNETH D
Format Patent
LanguageKorean
Published 29.02.2024
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Abstract 반도체 프로세스들 동안 플라즈마들을 특성화하는 방법은, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 수신하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 반도체 프로세스는, 반도체 처리 시스템의 챔버 내부에 플라즈마를 생성하도록 구성될 수 있다. 방법은 또한, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 입력들로서 모델에 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 모델은, 챔버 내의 플라즈마들을 특성화하도록 훈련되었을 수 있다. 방법은 또한, 모델을 사용하여, 반도체 프로세스의 동작 조건들로부터 초래되는 챔버 내의 플라즈마의 특성화를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. A method of characterizing plasmas during semiconductor processes may include receiving operating conditions for a semiconductor process, where the semiconductor process may be configured to generate a plasma inside of a chamber of a semiconductor processing system. The method may also include providing the operating conditions for the semiconductor process as inputs to a model, where the model may have been trained to characterize plasmas in the chamber. The method may also include generating, using the model, a characterization of the plasma in the chamber resulting from the operating conditions of the semiconductor process.
AbstractList 반도체 프로세스들 동안 플라즈마들을 특성화하는 방법은, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 수신하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 반도체 프로세스는, 반도체 처리 시스템의 챔버 내부에 플라즈마를 생성하도록 구성될 수 있다. 방법은 또한, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 입력들로서 모델에 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 모델은, 챔버 내의 플라즈마들을 특성화하도록 훈련되었을 수 있다. 방법은 또한, 모델을 사용하여, 반도체 프로세스의 동작 조건들로부터 초래되는 챔버 내의 플라즈마의 특성화를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. A method of characterizing plasmas during semiconductor processes may include receiving operating conditions for a semiconductor process, where the semiconductor process may be configured to generate a plasma inside of a chamber of a semiconductor processing system. The method may also include providing the operating conditions for the semiconductor process as inputs to a model, where the model may have been trained to characterize plasmas in the chamber. The method may also include generating, using the model, a characterization of the plasma in the chamber resulting from the operating conditions of the semiconductor process.
Author CHO HUNKEE
JUNG SOONWOOK
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