반도체 처리 시스템들에서의 플라즈마들의 모델 기반 특성화

반도체 프로세스들 동안 플라즈마들을 특성화하는 방법은, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 수신하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 반도체 프로세스는, 반도체 처리 시스템의 챔버 내부에 플라즈마를 생성하도록 구성될 수 있다. 방법은 또한, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 입력들로서 모델에 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 모델은, 챔버 내의 플라즈마들을 특성화하도록 훈련되었을 수 있다. 방법은 또한, 모델을 사용하여, 반도체 프로세스의 동작 조건들로부터 초래되는 챔버 내의 플라즈마의 특성화를 생성하는 단계를 포...

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Main Authors CHO HUNKEE, JUNG SOONWOOK, SCHATZ KENNETH D
Format Patent
LanguageKorean
Published 29.02.2024
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Summary:반도체 프로세스들 동안 플라즈마들을 특성화하는 방법은, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 수신하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 반도체 프로세스는, 반도체 처리 시스템의 챔버 내부에 플라즈마를 생성하도록 구성될 수 있다. 방법은 또한, 반도체 프로세스에 대한 동작 조건들을 입력들로서 모델에 제공하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기서, 모델은, 챔버 내의 플라즈마들을 특성화하도록 훈련되었을 수 있다. 방법은 또한, 모델을 사용하여, 반도체 프로세스의 동작 조건들로부터 초래되는 챔버 내의 플라즈마의 특성화를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. A method of characterizing plasmas during semiconductor processes may include receiving operating conditions for a semiconductor process, where the semiconductor process may be configured to generate a plasma inside of a chamber of a semiconductor processing system. The method may also include providing the operating conditions for the semiconductor process as inputs to a model, where the model may have been trained to characterize plasmas in the chamber. The method may also include generating, using the model, a characterization of the plasma in the chamber resulting from the operating conditions of the semiconductor process.
Bibliography:Application Number: KR20247003061