부분적으로 에칭된 구조체들의 비-컨포멀 패시베이션을 위한 인-시츄 (in-situ) 하이드로카본 기반 층

• Main Authors: PUTHENKOVILAKAM RAGESH, PRABHAKARA GOPALADASU, KUMAR PRABHAT, YUN SEOKMIN, DESHMUKH SHASHANK, ZHANG XIN, REDDY KAPU SIRISH, HUDSON ERIC
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

스택의 제 2 영역에 대해 제 1 영역의 적어도 하나의 피처를 선택적으로 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 제 1 영역은 제 1 영역에 적어도 하나의 부분적인 피처를 형성하도록 제 2 영역에 대해 선택적으로 에칭되고, 적어도 하나의 부분적인 피처는 제 2 영역의 표면에 대해 깊이를 갖는다. 인 시츄 (in-situ) 불소-프리 (fluorine-free), 비컨포멀한 (non-conformal), 탄소-함유 마스크가 제 1 영역 및 제 2 영역 위에 증착되고, 탄소-함유 마스크는 제 1 두께의 제 1 영역에 대해 제 2 두께의 제 2 영역 상에 선택적으로 증착되고, 제 2 두께는 제 1 두께보다 더 크다. 제 1 영역은 적어도 하나의 부분적인 피처를 에칭하기 위해 인 시츄로 추가 에칭되고, 탄소 함유 마스크는 제 2 영역에 대한 에칭 마스크로서 작용한다. A method for selectively etching at least one feature in a first region with respect to a second region of a stack is provided. The first region is selectively etched with respect to the second region to form at least one partial feature in the first region, the at least one partial feature having a depth with respect to a surface of the second region. An in-situ a fluorine-free, non-conformal, carbon-containing mask is deposited over the first region and the second region, wherein the carbon-containing mask is selectively deposited on the second region at a second thickness with respect to the first region at a first thickness, the second thickness being greater than the first thickness. The first region is further etched in-situ to etch the at least one partial feature and wherein the carbon-containing mask acts as an etch mask for the second region.