EUV PELLICLE FOR EUV LITHOGRAPHY MASKS AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF
극자외선(EUV) 포토마스크용 펠리클을 제조하는 방법에서, SP2 탄소의 멤브레인이 형성되고, 멤브레인의 표면 특성을 변경하기 위해 멤브레인 상에 처리가 수행되며, 그 처리 후, 멤브레인 위에 커버층이 형성된다. In a method of manufacturing a pellicle for an extreme ultraviolet (EUV) photomask, a membrane of Sp2 carbon is formed, a treatment is performed on the membrane to change a surfac...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
05.02.2024
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