SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

• Main Author: MORI KAORU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.01.2024
• Subjects: INFORMATION STORAGE; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; STATIC STORES; TESTING

[과제] 사용 시의 환경(예를 들어, 전원전압이나 온도 등)의 변화에 따라서 동작 타이밍을 적절하게 제어하는 것이 가능한 반도체 기억장치를 제공한다. [해결 수단] 반도체 기억장치는, 반도체 기억장치의 온도를 검출하는 온도 센서(18)와, 반도체 기억장치의 전원전압을 검출하는 전압검출부(링 발진기(14) 및 카운터(15))와, 전원투입 후에 온도 센서(18)에 의해서 검출된 온도, 및 전원투입 후에 전압검출부에 의해서 검출된 전원전압에 따라서, 반도체 기억장치 내의 동작 타이밍을, 소정의 기준을 충족시키도록 제어하는 제어부(10)를 포함한다. A semiconductor memory device can appropriately control operation timing, based on changes in the environment (for example, power supply voltage and temperature, etc.) when in use. The semiconductor memory device includes a temperature sensor 18 that detects the temperature of the semiconductor memory device, a voltage detection portion (composed of a ring oscillator 14 and a counter 15) that detects the power supply voltage of the semiconductor memory device, and a control portion 10 that controls the operation timing in the semiconductor memory device to meet specific conditions, according to the temperature detected by the temperature sensor 18 after the power is applied and the voltage detected by the voltage detection portion after the power is applied.