기판 프로세싱 챔버들을 위한 자기적으로 커플링된 RF 필터

반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버는, 히터 존들을 갖고 기판을 지지하기 위한 페데스탈 및 플라즈마에 RF(Radio Frequency) 신호를 전달하도록 구성된 와이어 메쉬를 포함할 수 있다. 챔버는 또한 히터 존에 전류를 전달하는 히터 존 컨트롤들 및 히터 존 컨트롤들과 히터 존들 사이의 필터 회로를 포함할 수 있다. 필터 회로는 히터 존들로부터의 리드들 상의 인덕터들 및 리드 인덕터들에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 갖는 공진 회로를 포함할 수 있다. 공진 회로는 RF 신호가 히터 존 컨트롤들에 도달하는...

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Main Authors DZILNO DMITRY A, GARACHTCHENKO ALEXANDER V, HAMMOND EDWARD P
Format Patent
LanguageKorean
Published 11.01.2024
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Summary:반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버는, 히터 존들을 갖고 기판을 지지하기 위한 페데스탈 및 플라즈마에 RF(Radio Frequency) 신호를 전달하도록 구성된 와이어 메쉬를 포함할 수 있다. 챔버는 또한 히터 존에 전류를 전달하는 히터 존 컨트롤들 및 히터 존 컨트롤들과 히터 존들 사이의 필터 회로를 포함할 수 있다. 필터 회로는 히터 존들로부터의 리드들 상의 인덕터들 및 리드 인덕터들에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 갖는 공진 회로를 포함할 수 있다. 공진 회로는 RF 신호가 히터 존 컨트롤들에 도달하는 것을 방지하기 위해 히터 존들로부터의 리드들로부터 와이어 메쉬로 전달되는 RF 신호를 필터링하는 공진 피크를 생성할 수 있다. A semiconductor processing chamber for processing semiconductor substrates may include a pedestal to support a substrate with a heater zones and a wire mesh configured to deliver a Radio Frequency (RF) signal to a plasma. The chamber may also include heater zone controls that deliver current to the heater zones and a filter circuit between the heater zone controls and the heater zones. The filter circuit may include inductors on leads from the heater zones and a resonant circuit with a resonant inductor that is magnetically coupled to the lead inductors. The resonant circuit may produce a resonant peak that filters the RF signal delivered to the wire mesh from the leads from the heater zones to prevent the RF signal from reaching the heater zone controls.
Bibliography:Application Number: KR20237042183