나노 구조 광 추출 층을 갖는 발광 디바이스

• Main Authors: LOPEZ TONI, ABASS AIMI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.11.2023
• Subjects: ADVERTISING; ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICESUSING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 발광 디바이스는 인접 디바이스 영역에 걸쳐 공존하는 도핑된 반도체 층들 사이의 접합 또는 활성 층, 반도체 층들에 연결된 전기 콘택들의 대응하는 세트들, 및 다른 반도체 층에 대향하는 하나의 반도체 층의 표면에 있는 다수의 나노 구조 광학 요소들을 포함한다. 하나의 세트의 복합 전기 콘택들은 전도성 층, 전도성 층과 반도체 층 사이의 투명한 유전체 층, 및 전도성 층과 반도체 층을 연결하는 유전체 층을 통한 비아들을 포함한다. 나노 구조 요소들은 반도체 층들에 의해 지원되는 광학 모드들로 측방향으로 전파되는 광을 디바이스를 빠져나가도록 재지향시킨다. 복합 전기 콘택들은 독립적일 수 있고, 디바이스의 독립적으로 어드레싱가능한 픽셀 영역들을 한정할 수 있다. 나노 구조 요소들 및 얇은 반도체 층들은 인접한 픽셀 영역들 사이에 그들 사이에 트렌치들 없이 높은 콘트라스트를 산출할 수 있다. 구동 회로는 픽셀 영역들 사이에 상이한 구동 전류를 제공할 수 있다. A semiconductor light-emitting device includes a junction or active layer between doped semiconductor layers coextensive over a contiguous device area, corresponding sets of electrical contacts connected to the semiconductor layers, and multiple nanostructured optical elements at a surface of one semiconductor layer opposite the other semiconductor layer. Composite electrical contacts of one set include a conductive layer, a transparent dielectric layer between the conductive and semiconductor layers, and vias through the dielectric layer connecting the conductive and semiconductor layers. The nanostructured elements redirect light, propagating laterally in optical modes supported by the semiconductor layers, to exit the device. The composite electrical contacts can be independent and define independently addressable pixel areas of the device. The nanostructured elements and thin semiconductor layers can yield high contrast between adjacent pixel areas without trenches between them. A drive circuit can provide drive current that differs among pixel areas.