SOLID-STATE IMAGING ELEMENT METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND ELECTRONIC DEVICE

• Main Author: KANEDA YUKIO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시는, 광전 변환막을 사용하여, 보다 바람직한 초점 검출용 화소를 형성할 수 있도록 하는 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다. 고체 촬상 소자는, 광전 변환막과, 그것을 상하로 끼우는 제1 전극 및 제2 전극으로 이루어지는 광전 변환부를 가지며, 제1 전극 및 제2 전극 중의 적어도 일방의 전극이 화소마다 분리된 분리 전극으로 되어 있는 제1의 화소와, 광전 변환부를 가지며, 분리 전극이 제1의 화소보다도 작은 평면 사이즈로 형성되고, 그에 의해 빈 영역에, 적어도 화소의 경계까지 늘어나는 제3 전극이 형성되어 있는 제2의 화소를 갖는다. 본 개시는 예를 들면, 고체 촬상 소자 등에 적용할 수 있다. A more preferable pixel for detecting a focal point may be formed by using a photoelectric converting film. A solid-state image sensor includes a first pixel including a photoelectric converting unit formed of a photoelectric converting film and first and second electrodes which interpose the same from above and below in which at least one of the first and second electrodes is a separated electrode separated for each pixel, and a second pixel including the photoelectric converting unit in which the separated electrode is formed to have a planar size smaller than that of the first pixel and a third electrode extending at least to a boundary of the pixel is formed in a region which is vacant due to a smaller planar size. The present disclosure is applicable to the solid-state image sensor and the like, for example.