SELF-ALIGNED INTERCONNECT FEATURES FOR TRANSISTOR CONTACTS

• Main Authors: CHANDHOK MANISH, WALLACE CHARLES H, MUNASINGHE CHANAKA D, GULER LEONARD P, GHANI TAHIR
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An integrated circuit includes: a first transistor device (i) having a first source or drain region coupled to a first source or drain contact and a first gate electrode; a second transistor device (ii) having a second source or drain region coupled to a second source or drain contact and a second gate electrode; a first dielectric material (iii) on the first and second source or drain contacts; a second dielectric material (iv) on the first and second gate electrodes; a third dielectric material (v) on the first and second dielectric materials; and an interconnection feature (vi) conductively coupled to an interconnection feature conductively coupled onto the first source or drain contact. In accordance with one embodiment, the interconnection feature includes an upper body of a conductive material extended within the third dielectric material, and a lower body of a conductive material extended within the first dielectric material, having an interface between the upper and lower bodies. 집적 회로는 (i) 제1 소스 또는 드레인 콘택트에 결합된 제1 소스 또는 드레인 영역 및 제1 게이트 전극을 갖는 제1 트랜지스터 디바이스, (ii) 제2 소스 또는 드레인 콘택트에 결합된 제2 소스 또는 드레인 영역 및 제2 게이트 전극을 갖는 제2 트랜지스터 디바이스, (iii) 제1 및 제2 소스 또는 드레인 콘택트 위의 제1 유전체 재료, (iv) 제1 및 제2 게이트 전극 위의 제2 유전체 재료, (v) 제1 및 제2 유전체 재료 위의 제3 유전체 재료, 및 (vi) 제1 소스 또는 드레인 콘택트 위에 전도성 결합된 상호접속 피처에 전도적으로 결합된 상호접속 피처를 포함한다. 일 예에서, 상호접속 피처는 제3 유전체 재료 내에서 연장되는 전도성 재료의 상부 본체, 및 제1 유전체 재료 내에서 연장되는 전도성 재료의 하부 본체를 포함하고, 상부 본체와 하부 본체 사이의 인터페이스를 갖는다.