BOND ROUTING STRUCTURE FOR STACKED WAFERS

• Main Authors: WU WEI CHENG, TENG LI FENG, CHUANG HARRY HAKLAY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Various embodiments of the present disclosure relate to an integrated circuit (IC) having a first IC structure including a first substrate, a first interconnection structure, and a first hybrid bond structure. A second IC structure includes a second substrate and a second hybrid bond structure adjacent the first hybrid bond structure at the bond interface. The second substrate includes first and second device regions containing first semiconductor devices and second semiconductor devices. The first semiconductor devices are a first type of IC device, and the second semiconductor devices are a second type of IC device different from the first type of IC device. A bond routing structure couples the first interconnection structure to the first and second semiconductor devices. A lateral routing structure extends continuously laterally from beneath the first device region to beneath the second device region. 본 개시의 다양한 실시예들은 제1 기판, 제1 상호연결 구조물, 및 제1 하이브리드 본드 구조물을 포함하는 제1 IC 구조물을 갖는 집적 회로(IC, integrated circuit)에 관한 것이다. 제2 IC 구조물은 제2 기판 및 본드 계면에서 제1 하이브리드 본드 구조물에 인접하는 제2 하이브리드 본드 구조물을 포함한다. 제2 기판은 제1 반도체 디바이스들 및 제2 반도체 디바이스들을 포함하는 제1 및 제2 디바이스 구역들을 포함한다. 제1 반도체 디바이스들은 제1 타입의 IC 디바이스이고, 제2 반도체 디바이스들은 제1 타입의 IC 디바이스와 상이한 제2 타입의 IC 디바이스이다. 본드 라우팅 구조물은 제1 상호연결 구조물을 제1 및 제2 반도체 디바이스들에 커플링한다. 측방향 라우팅 구조물은 제1 디바이스 구역 아래로부터 제2 디바이스 구역 아래로 연속적으로 측방향으로 연장된다.