반도체 시편의 전기적 특성들의 예측

• Main Author: ADAN OFER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.08.2023
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

반도체 시편의 복수의 구조적 파라미터들에 대한 정보를 제공하는 계측 데이터(D계측)를 획득하고, 상기 구조적 파라미터들 중 적어도 일부와 시편의 하나 이상의 전기적 특성 사이의 관계에 대한 정보를 제공하는 모델을 획득하고, 시편의 적어도 하나의 주어진 전기적 특성에 대해, 영향 기준에 따라 주어진 전기적 특성에 영향을 미치는, 복수의 구조적 파라미터들 중 하나 이상의 주어진 구조적 파라미터를 결정하기 위해 모델 및 D계측를 사용하고, 검사 툴에 대한 레시피를 생성하도록 구성되는 시스템 및 방법이 제공되고, 레시피는, 하나 이상의 주어진 구조적 파라미터에 대한 정보를 제공하는 데이터의 제1 취득 속도와, 복수의 구조적 파라미터들 중 다른 구조적 파라미터들에 대한 정보를 제공하는 데이터의 제2 취득 속도 사이의 비율이 기준을 충족시키는 것을 가능하게 한다. There is provided a method and a system configured to obtain metrology data Dmetrology informative of a plurality of structural parameters of a semiconductor specimen, obtain a model informative of a relationship between at least some of said structural parameters and one or more electrical properties of the specimen, use the model and Dmetrology to determine, for at least one given electrical property of the specimen, one or more given structural parameters among the plurality of structural parameters, which affect the given electrical property according to an impact criterion, and generate a recipe for an examination tool, wherein the recipe enables a ratio between a first acquisition rate of data informative of the one or more given structural parameters, and a second acquisition rate of data informative of other structural parameters of the plurality of structural parameters, to meet a criterion.