A LAYERED STRUCTURE

• Main Authors: CLARK ANDREW, HAMMOND RICHARD, PELZEL RODNEY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method of manufacturing a layered structure comprising a step of growing an epitaxial layer on a substrate with a first resistivity proximal to the substrate and a second resistivity (less than the first resistivity) distal from the substrate. The epitaxial layer is porous to form a porous layer with porosity >30% proximal to the substrate and <=25% distal from the substrate. A semiconductor (channel) layer is epitaxially grown on the porous layer. Also, the layered structure comprises: a substrate; a porous layer; and an epitaxial semiconductor (channel) layer. The porous layer has a first porosity >30% proximal to the substrate and a second porosity <=25% adjacent to the semiconductor layer. Two different porosities can be optimized for different functions. The higher porosity is effective at insulating the channel from the substrate. The lower porosity provides a crystalline structure with a single crystal orientation exposed that supports the channel layer comprising high quality, low defect, epitaxial growth. 본 발명은 기판에 근접해 있는 경우 제1 저항률을 그리고 기판으로부터 먼 거리에 있는 경우 제2 저항률(제1 저항률 미만)을 갖는 에피택셜 층을 기판 상에 성장시키는 단계를 포함하는 적층형 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 에피택셜 층을 다공화하여 다공도가 기판에 근접해 있는 경우 >30% 및 기판으로부터 먼 거리에 있는 경우 ≤25%인 다공성 층을 형성한다. 다공성 층 위에 반도체(채널) 층을 에피택셜 성장시킨다. 또한, 적층형 구조체는, 기판; 다공성 층; 및 에피택셜 반도체(채널) 층을 포함한다. 다공성 층은 기판에 근접해 있는 경우 >30%의 제1 다공성 및 반도체 층에 인접해 있는 경우 ≤25%의 제2 다공성을 갖는다. 2개의 상이한 다공성은 상이한 기능에 대해 최적화될 수 있다. 다공성이 높을수록 기판으로부터 채널을 절연하는 데 효과적이다. 다공성이 낮을수록 고품질, 낮은 결함, 에피택셜 성장을 포함하는 채널층을 지지하는, 단결정 배향이 노출된 결정 구조를 제공한다.