GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING SOURCE OR DRAIN STRUCTURES WITH REGROWN CENTRAL PORTIONS

• Main Authors: MURTHY ANAND S, PATEL PRATIK, HASAN MOHAMMAD, KUMAR NITESH, SHAH RUSHABH, GULER LEONARD P, GHANI TAHIR
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are a gate-all-around (GAA) integrated circuit structure having a source or drain structure with a regrown central part and a manufacturing method thereof. For example, an integrated circuit structure comprises vertical nanowire arrays. A gate stack exists on the vertical nanowire array. A first epitaxial source or drain structure exists on the first end part of the vertical nanowire array. A second epitaxial source or drain structure exists on the second end of the vertical nanowire array. One or both of the first or second epitaxial source or drain structures have a central part within the outer part and an interface between the central part and the outer part. 중앙 부분이 재성장된 소스 또는 드레인 구조를 갖는 게이트 올 어라운드 집적 회로 구조, 및 중앙 부분이 재성장된 소스 또는 드레인 구조를 갖는 게이트 올 어라운드 집적 회로 구조를 제조하는 방법을 설명한다. 예를 들어, 집적 회로 구조물은 나노와이어의 수직 배열을 포함한다. 나노와이어의 수직 배열 위에 게이트 스택이 존재한다. 나노와이어의 수직 배열의 제1 단부에는 제1 에피택셜 소스 또는 드레인 구조물이 존재한다. 나노와이어의 수직 배열의 제2 단부에는 제2 에피택셜 소스 또는 드레인 구조물이 존재한다. 제1 또는 제2 에피택셜 소스 또는 드레인 구조물 중 하나 또는 둘 모두는 외측 부분 내의 중앙 부분과, 중앙 부분과 상기 외측 부분 사이의 계면을 갖는다.