JUMPER GATE FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES

• Main Authors: GULER LEONARD P, DEWEY GILBERT, GHANI TAHIR, YEMENICIOUGLU SUKRU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A jumper gate in improved integrated circuit structures is disclosed. For example, the integrated circuit structure comprises a first segment of a vertical stack of horizontal nanowires. A second segment of the vertical stack of horizontal nanowires is spaced apart from the first segment of the vertical stack of horizontal nanowires. A conductive structure is laterally positioned between and in direct electrical contact with the first segment of the vertical stack of horizontal nanowires and the second segment of the vertical stack of horizontal nanowires. A first source or a drain structure is coupled to the first segment of the vertical stack of horizontal nanowires, on the opposite side from the conductive structure. A second source or a drain structure is coupled to the second segment of the vertical stack of horizontal nanowires, on the opposite side from the conductive structure. Embodiments of the present disclosure relate to the field of integrated circuit structures and processing, and more particularly, to jumper gates in improved integrated circuit structures. 향상된 집적 회로 구조체의 점퍼 게이트가 설명된다. 예를 들어, 집적 회로 구조체는 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 1 세그먼트를 포함한다. 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 2 세그먼트는 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 1 세그먼트로부터 이격되어 있다. 전도성 구조체가 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 1 세그먼트와 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 2 세그먼트 사이에 측방향으로 위치되어서 이들과 직접 전기적으로 콘택트한다. 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 1 세그먼트에, 전도성 구조체와는 반대 측에서, 제 1 소스 또는 드레인 구조체가 결합된다. 수평 나노와이어의 수직 스택의 제 2 세그먼트에, 전도성 구조체와는 반대 측에서, 제 2 소스 또는 드레인 구조체가 결합된다.