Semiconductor memory device

• Main Authors: PARK JINYOUNG, LEE YONGJAE, KIM KYUNGSOO, LEE KYEN HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor memory device is provided. The semiconductor memory device comprises: a magnetic tunnel junction pattern; a spin-orbit torque (SOT) pattern which comes in contact with a first side of the magnetic tunnel junction pattern; a first transistor which is connected to a second side of the magnetic tunnel junction pattern, and is controlled by a first word line; and a second transistor which is connected to a first end of the SOT pattern, and is controlled by a second word line. The effective channel width of the first transistor may be different from the effective channel width of the second transistor. 반도체 메모리 장치가 제공된다. 반도체 메모리 장치는 자기 터널 접합 패턴; 상기 자기 터널 접합 패턴의 제1 측과 접하는 스핀 궤도 토크(SOT; spin-orbit torque) 패턴; 상기 자기 터널 접합 패턴의 제2 측에 연결되며, 제1 워드 라인에 의해 제어되는 제1 트랜지스터; 및 상기 스핀 궤도 토크 패턴의 제1 단에 연결되며, 제2 워드 라인에 의해 제어되는 제2 트랜지스터를 포함하되, 상기 제1 트랜지스터의 유효 채널 폭이 상기 제2 트랜지스터의 유효 채널 폭과 다를 수 있다.