향상된 금속 리플로우를 위해 층을 혼합하기 위한 방법들 및 장치

기판 상의 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 피처들을 충전하는 방법은, 제1 프로세스 챔버에서, 제1 온도에서 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상에 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 금속성 재료를 증착하는 단계; 제2 금속성 재료의 시드 층을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제2 온도 및 제1 바이어스 전력에서 제1 금속성 재료 상에 제2 금속성 재료를 증착하는 단계; 피처 내에 제1 금속성 재료 및 제2 금속성 재료...

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Main Authors TANG XIANMIN, SHEN GANG, LI RUI, HA TAE HONG, ZHANG FUHONG, CHEN FENG, ZHONG LANLAN, XIE XIANGJIN
Format Patent
LanguageKorean
Published 16.05.2023
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Abstract 기판 상의 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 피처들을 충전하는 방법은, 제1 프로세스 챔버에서, 제1 온도에서 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상에 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 금속성 재료를 증착하는 단계; 제2 금속성 재료의 시드 층을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제2 온도 및 제1 바이어스 전력에서 제1 금속성 재료 상에 제2 금속성 재료를 증착하는 단계; 피처 내에 제1 금속성 재료 및 제2 금속성 재료를 포함하는 혼합 층(intermix layer)을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제1 바이어스 전력보다 큰 제2 바이어스 전력에서 시드 층을 에칭하는 단계; 및 제2 온도보다 높은 제3 온도로 기판을 가열하여, 제2 금속성 재료의 리플로우를 야기하는 단계를 포함한다. Methods and apparatus for filling features on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of filling features on a substrate includes: depositing a first metallic material on the substrate and within a feature disposed in the substrate in a first process chamber via a chemical vapor deposition (CVD) process at a first temperature; depositing a second metallic material on the first metallic material in a second process chamber at a second temperature and at a first bias power to form a seed layer of the second metallic material; etching the seed layer in the second process chamber at a second bias power greater than the first bias power to form an intermix layer within the feature comprising the first metallic material and the second metallic material; and heating the substrate to a third temperature greater than the second temperature, causing a reflow of the second metallic material.
AbstractList 기판 상의 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 피처들을 충전하는 방법은, 제1 프로세스 챔버에서, 제1 온도에서 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상에 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 금속성 재료를 증착하는 단계; 제2 금속성 재료의 시드 층을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제2 온도 및 제1 바이어스 전력에서 제1 금속성 재료 상에 제2 금속성 재료를 증착하는 단계; 피처 내에 제1 금속성 재료 및 제2 금속성 재료를 포함하는 혼합 층(intermix layer)을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제1 바이어스 전력보다 큰 제2 바이어스 전력에서 시드 층을 에칭하는 단계; 및 제2 온도보다 높은 제3 온도로 기판을 가열하여, 제2 금속성 재료의 리플로우를 야기하는 단계를 포함한다. Methods and apparatus for filling features on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of filling features on a substrate includes: depositing a first metallic material on the substrate and within a feature disposed in the substrate in a first process chamber via a chemical vapor deposition (CVD) process at a first temperature; depositing a second metallic material on the first metallic material in a second process chamber at a second temperature and at a first bias power to form a seed layer of the second metallic material; etching the seed layer in the second process chamber at a second bias power greater than the first bias power to form an intermix layer within the feature comprising the first metallic material and the second metallic material; and heating the substrate to a third temperature greater than the second temperature, causing a reflow of the second metallic material.
Author ZHANG FUHONG
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SubjectTerms BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMICAL SURFACE TREATMENT
CHEMISTRY
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL
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DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL
METALLURGY
SEMICONDUCTOR DEVICES
SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
Title 향상된 금속 리플로우를 위해 층을 혼합하기 위한 방법들 및 장치
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