향상된 금속 리플로우를 위해 층을 혼합하기 위한 방법들 및 장치
기판 상의 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 피처들을 충전하는 방법은, 제1 프로세스 챔버에서, 제1 온도에서 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상에 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 금속성 재료를 증착하는 단계; 제2 금속성 재료의 시드 층을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제2 온도 및 제1 바이어스 전력에서 제1 금속성 재료 상에 제2 금속성 재료를 증착하는 단계; 피처 내에 제1 금속성 재료 및 제2 금속성 재료...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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16.05.2023
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Abstract | 기판 상의 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 피처들을 충전하는 방법은, 제1 프로세스 챔버에서, 제1 온도에서 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상에 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 금속성 재료를 증착하는 단계; 제2 금속성 재료의 시드 층을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제2 온도 및 제1 바이어스 전력에서 제1 금속성 재료 상에 제2 금속성 재료를 증착하는 단계; 피처 내에 제1 금속성 재료 및 제2 금속성 재료를 포함하는 혼합 층(intermix layer)을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제1 바이어스 전력보다 큰 제2 바이어스 전력에서 시드 층을 에칭하는 단계; 및 제2 온도보다 높은 제3 온도로 기판을 가열하여, 제2 금속성 재료의 리플로우를 야기하는 단계를 포함한다.
Methods and apparatus for filling features on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of filling features on a substrate includes: depositing a first metallic material on the substrate and within a feature disposed in the substrate in a first process chamber via a chemical vapor deposition (CVD) process at a first temperature; depositing a second metallic material on the first metallic material in a second process chamber at a second temperature and at a first bias power to form a seed layer of the second metallic material; etching the seed layer in the second process chamber at a second bias power greater than the first bias power to form an intermix layer within the feature comprising the first metallic material and the second metallic material; and heating the substrate to a third temperature greater than the second temperature, causing a reflow of the second metallic material. |
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AbstractList | 기판 상의 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상의 피처들을 충전하는 방법은, 제1 프로세스 챔버에서, 제1 온도에서 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상에 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 금속성 재료를 증착하는 단계; 제2 금속성 재료의 시드 층을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제2 온도 및 제1 바이어스 전력에서 제1 금속성 재료 상에 제2 금속성 재료를 증착하는 단계; 피처 내에 제1 금속성 재료 및 제2 금속성 재료를 포함하는 혼합 층(intermix layer)을 형성하기 위해, 제2 프로세스 챔버에서, 제1 바이어스 전력보다 큰 제2 바이어스 전력에서 시드 층을 에칭하는 단계; 및 제2 온도보다 높은 제3 온도로 기판을 가열하여, 제2 금속성 재료의 리플로우를 야기하는 단계를 포함한다.
Methods and apparatus for filling features on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of filling features on a substrate includes: depositing a first metallic material on the substrate and within a feature disposed in the substrate in a first process chamber via a chemical vapor deposition (CVD) process at a first temperature; depositing a second metallic material on the first metallic material in a second process chamber at a second temperature and at a first bias power to form a seed layer of the second metallic material; etching the seed layer in the second process chamber at a second bias power greater than the first bias power to form an intermix layer within the feature comprising the first metallic material and the second metallic material; and heating the substrate to a third temperature greater than the second temperature, causing a reflow of the second metallic material. |
Author | ZHANG FUHONG TANG XIANMIN CHEN FENG SHEN GANG XIE XIANGJIN LI RUI ZHONG LANLAN HA TAE HONG |
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