보조 피처들을 이용하여 디지털 리소그래피를 위한 프로세스 윈도우 및 해상도를 개선하기 위한 방법들

본원에서 설명된 실시예들은 리소그래피 환경 내에서 피처들을 인쇄하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 마스크 패턴을 결정하는 것을 포함한다. 마스크 패턴은 리소그래피 프로세스에서 마스크리스 리소그래피 디바이스에 메인 피처들과 함께 제공되는 보조 피처들을 포함한다. 보조 피처들은 규칙 기반 프로세스 흐름 또는 리소그래피 모델 프로세스 흐름으로 결정된다. Embodiments described herein relate to methods of printing features within a lithography environment. T...

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Main Authors CHEN JANG FUNG, TSAI CHI MING, LAIDIG THOMAS L, VAN DEN BROEKE DOUGLAS JOSEPH
Format Patent
LanguageKorean
Published 15.05.2023
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Abstract 본원에서 설명된 실시예들은 리소그래피 환경 내에서 피처들을 인쇄하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 마스크 패턴을 결정하는 것을 포함한다. 마스크 패턴은 리소그래피 프로세스에서 마스크리스 리소그래피 디바이스에 메인 피처들과 함께 제공되는 보조 피처들을 포함한다. 보조 피처들은 규칙 기반 프로세스 흐름 또는 리소그래피 모델 프로세스 흐름으로 결정된다. Embodiments described herein relate to methods of printing features within a lithography environment. The methods include determining a mask pattern. The mask pattern includes auxiliary features to be provided with main features to a maskless lithography device in a lithography process. The auxiliary features are determined with a rule-based process flow or a lithography model process flow.
AbstractList 본원에서 설명된 실시예들은 리소그래피 환경 내에서 피처들을 인쇄하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 마스크 패턴을 결정하는 것을 포함한다. 마스크 패턴은 리소그래피 프로세스에서 마스크리스 리소그래피 디바이스에 메인 피처들과 함께 제공되는 보조 피처들을 포함한다. 보조 피처들은 규칙 기반 프로세스 흐름 또는 리소그래피 모델 프로세스 흐름으로 결정된다. Embodiments described herein relate to methods of printing features within a lithography environment. The methods include determining a mask pattern. The mask pattern includes auxiliary features to be provided with main features to a maskless lithography device in a lithography process. The auxiliary features are determined with a rule-based process flow or a lithography model process flow.
Author LAIDIG THOMAS L
TSAI CHI MING
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