반도체 장치의 제조 방법

• Main Authors: GAUBERT PHILIPPE, TAMURA CHIHIRO, AKIYAMA KOJI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 15.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 기판 상 또는 반도체 기판에 형성된 하부 전극 상에 유전체막을 형성하는 공정과, 유전체막의 표면 상의 소정 영역에 선택적으로 금속을 부착시키는 공정과, 금속에 열 처리를 실시함으로써, 유전체막의 표면 상의 소정 영역에 절연성의 금속 산화막을 형성하는 공정과, 유전체막의 표면 상의 소정 영역에 금속 산화막이 형성된 상태에서, 유전체막 상에 상부 전극을 형성하는 공정을 포함한다. A manufacturing method for a semiconductor device includes forming a dielectric film on a semiconductor substrate or on a lower electrode that is formed on a semiconductor substrate, attaching a metal to a predetermined area on a surface of the dielectric film selectively, forming a metal oxide film with an insulation property in the predetermined area on the surface of the dielectric film by applying heat treatment to the metal, and forming an upper electrode on the dielectric film in a state where the metal oxide film is formed in the predetermined area on the surface of the dielectric film.