증착 및 에칭을 위한 반도체 프로세싱 챔버

• Main Authors: FISCHBACH ADAM J, WONG CARLATON, PATIL VIJET, FRANKLIN TIMOTHY, TANAKA TSUTOMU, LAI CANFENG, PAUL KHOKAN CHANDRA, PATIL RAVIKUMAR
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 09.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

예시적인 반도체 기판 지지체는 페디스털 샤프트를 포함할 수 있다. 반도체 기판 지지체는 플래튼을 포함할 수 있다. 플래튼은 플래튼의 제1 표면을 가로지르는 유체 채널을 한정할 수 있다. 반도체 기판 지지체는 플래튼과 페디스털 샤프트 사이에 포지셔닝된 플래튼 절연체를 포함할 수 있다. 반도체 기판 지지체는, 플래튼의 제1 표면과 결합되고, 반도체 기판 지지체 상에 지지된 기판과 접촉하도록 구성된 전도성 퍽을 포함할 수 있다. 반도체 기판 지지체는, 플래튼 절연체의 후면을 따라 연장되고, 플래튼 절연체의 일부와 페디스털 샤프트 사이에 결합된 전도성 실드를 포함할 수 있다. Exemplary semiconductor substrate supports may include a pedestal shaft. The semiconductor substrate supports may include a platen. The platen may define a fluid channel across a first surface of the platen. The semiconductor substrate supports may include a platen insulator positioned between the platen and the pedestal shaft. The semiconductor substrate supports may include a conductive puck coupled with the first surface of the platen and configured to contact a substrate supported on the semiconductor substrate support. The semiconductor substrate supports may include a conductive shield extending along a backside of the platen insulator and coupled between a portion of the platen insulator and the pedestal shaft.