고밀도 및 고인장 응력 막들을 증착하기 위한 위한 시스템들 및 방법들

• Main Authors: YU HANG, YANG YU, KAMATH SANJAY G, WANG CHUAN YING, YAU ALLISON, YANG CHUANXI, PADHI DEENESH, HAN XINHAI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 03.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

예시적인 반도체 프로세싱 방법들은, 실리콘-함유 전구체, 질소-함유 전구체, 및 이원자 수소를 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 구역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 구역 내에 하우징될 수 있다. 방법들은 또한, 실리콘-함유 전구체, 질소-함유 전구체, 및 이원자 수소의 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 플라즈마는 15 MHz 초과의 주파수에서 형성될 수 있다. 방법들은 또한, 기판 상에 실리콘 질화물 재료를 증착하는 단계를 포함할 수 있다. Exemplary methods of semiconductor processing may include flowing a silicon-containing precursor, a nitrogen-containing precursor, and diatomic hydrogen into a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be housed within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may also include forming a plasma of the silicon-containing precursor, the nitrogen-containing precursor, and the diatomic hydrogen. The plasma may be formed at a frequency above 15 MHz. The methods may also include depositing a silicon nitride material on the substrate.