반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 장치

반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 연관된 장치가 개시된다. 이러한 방법은 반도체 팹 내에서 처리된 이후에 웨이퍼 테이블에 클램핑된 복수 개의 반도체 웨이퍼에 대한 오염 맵 데이터를 결정하는 단계를 포함한다. 조합된 오염 맵 데이터가 복수 개의 반도체 웨이퍼의 오염 맵 데이터의 조합에 적어도 부분적으로 기반하여 결정된다. 조합된 오염 맵 데이터는 레퍼런스 데이터에 비교된다. 레퍼런스 데이터는 반도체 팹 내의 하나 이상의 툴 내의 오염을 표시하는 조합된 오염 맵 데이터에 대한 하나 이상의 값을 포함한다. Methods an...

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Main Authors COLLIGNON TIJMEN PIETER, SMAL PAVEL, DOS SANTOS GUZELLA THIAGO, TABERY CYRUS EMIL, BASTANI VAHID
Format Patent
LanguageKorean
Published 17.03.2023
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Abstract 반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 연관된 장치가 개시된다. 이러한 방법은 반도체 팹 내에서 처리된 이후에 웨이퍼 테이블에 클램핑된 복수 개의 반도체 웨이퍼에 대한 오염 맵 데이터를 결정하는 단계를 포함한다. 조합된 오염 맵 데이터가 복수 개의 반도체 웨이퍼의 오염 맵 데이터의 조합에 적어도 부분적으로 기반하여 결정된다. 조합된 오염 맵 데이터는 레퍼런스 데이터에 비교된다. 레퍼런스 데이터는 반도체 팹 내의 하나 이상의 툴 내의 오염을 표시하는 조합된 오염 맵 데이터에 대한 하나 이상의 값을 포함한다. Methods and associated apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab. The methods include determining contamination map data for a plurality of semiconductor wafers clamped to a wafer table after being processed in the semiconductor fab. Combined contamination map data is determined based, at least in part, on a combination of the contamination map data of the plurality of semiconductor wafers. The combined contamination map data is combined to reference data. The reference data include one or more values for the combined contamination map data that are indicative of contamination in one or more tools in the semiconductor fab.
AbstractList 반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 연관된 장치가 개시된다. 이러한 방법은 반도체 팹 내에서 처리된 이후에 웨이퍼 테이블에 클램핑된 복수 개의 반도체 웨이퍼에 대한 오염 맵 데이터를 결정하는 단계를 포함한다. 조합된 오염 맵 데이터가 복수 개의 반도체 웨이퍼의 오염 맵 데이터의 조합에 적어도 부분적으로 기반하여 결정된다. 조합된 오염 맵 데이터는 레퍼런스 데이터에 비교된다. 레퍼런스 데이터는 반도체 팹 내의 하나 이상의 툴 내의 오염을 표시하는 조합된 오염 맵 데이터에 대한 하나 이상의 값을 포함한다. Methods and associated apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab. The methods include determining contamination map data for a plurality of semiconductor wafers clamped to a wafer table after being processed in the semiconductor fab. Combined contamination map data is determined based, at least in part, on a combination of the contamination map data of the plurality of semiconductor wafers. The combined contamination map data is combined to reference data. The reference data include one or more values for the combined contamination map data that are indicative of contamination in one or more tools in the semiconductor fab.
Author TABERY CYRUS EMIL
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