MULTI BRIDGE CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

• Main Authors: KIM, CHANG HYUN, BYUN, KYUNG EUN, JUNG, A LUM, KIM UN KI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A multi-bridge channel field effect transistor includes: a substrate; a first source/drain pattern provided on the substrate; a second source/drain pattern spaced apart from the first source/drain pattern along a first direction on the substrate; a first channel layer and a second channel layer provided between the first source/drain pattern and the second source/drain pattern; a first graphene barrier provided between the first channel layer and the first source/drain pattern; a gate insulating film surrounding the first channel layer; and a gate electrode surrounding the first channel layer with the gate insulating layer interposed therebetween. Therefore, it is possible to provide a multi-bridge channel field effect transistor including a graphene barrier. 멀티 브릿지 채널 전계 효과 트랜지스터는 기판, 기판 상에서 제공되는 제1 소스/드레인 패턴, 기판 상에서 제1 소스/드레인 패턴으로부터 제1 방향을 따라 이격되는 제2 소스/드레인 패턴, 제1 소스/드레인 패턴 및 제2 소스/드레인 패턴 사이에 제공되는 제1 채널층 및 제2 채널층, 제1 채널층과 제1 소스/드레인 패턴 사이에 제공되는 제1 그래핀 배리어, 제1 채널층을 둘러싸는 게이트 절연막, 및 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 채널층을 둘러싸는 게이트 전극을 포함한다.