BOND PAD STRUCTURE WITH HIGH VIA DENSITY

• Main Authors: YAUNG DUN NIAN, CHIANG YEN TING, LI YU HSIEN, TING SHYH FANN, LIU JEN CHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Various embodiments of the present invention relate to an integrated circuit (IC) chip where a bond pad structure is extended into a cylindrical structure with high via density. For example, an interconnection structure includes a first bond wire disposed on a front surface of a substrate to form a cylindrical structure, a second bond wire, and a bond via. The bond via extends from the first bond wire to the second bond wire. The bond pad structure is extended into the first bond wire by being inserted into a rear surface of the substrate opposite to a front surface. A protrusion portion of the first or second bond wire on a plane parallel to a surface of an upper part of the semiconductor substrate has a first area, and a protrusion portion of the bond via on the plane has a second area representing 10% or more of the first area, thereby having high via density. 본 개시의 다양한 실시예는 본드 패드 구조물이 높은 비아 밀도를 갖는 기둥형 구조물로 연장되는 집적 회로(IC) 칩에 관한 것이다. 예를 들어, 상호접속 구조물은 기판의 전면 상에 있고 기둥형 구조물을 형성하는 제1 본드 와이어, 제2 본드 와이어 및 본드 비아를 포함한다. 본드 비아는 제1 본드 와이어로부터 제2 본드 와이어까지 연장된다. 본드 패드 구조물은 전면 반대편에 있는 기판의 후면에 삽입되어 제1 본드 와이어까지 연장된다. 반도체 기판의 상부 표면에 평행한 평면 상의 제1 또는 제2 본드 와이어의 돌출부는 제1 영역을 갖고, 평면 상의 본드 비아의 돌출부는 제1 영역의 10% 이상인 제2 영역을 가져서, 비아 밀도가 높다.