기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

실리콘층과 실리콘게르마늄층이 교대로 적층된 기판의 처리 방법이며, 리모트 플라스마를 사용해서 라디칼화된 불소 및 산소를 포함하는 가스를 사용하여, 상기 실리콘게르마늄층의 노출면의 표층을 선택적으로 산화해서 산화막을 형성하는 공정과, 형성된 상기 산화막을 제거하는 공정을 포함한다. A method of processing a substrate in which a silicon layer and a silicon germanium layer are alternately stacked one above another, includes:...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors TAKAHASHI NOBUHIRO, ASADA YASUO, SHIMIZU AKITAKA
Format Patent
LanguageKorean
Published 11.11.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:실리콘층과 실리콘게르마늄층이 교대로 적층된 기판의 처리 방법이며, 리모트 플라스마를 사용해서 라디칼화된 불소 및 산소를 포함하는 가스를 사용하여, 상기 실리콘게르마늄층의 노출면의 표층을 선택적으로 산화해서 산화막을 형성하는 공정과, 형성된 상기 산화막을 제거하는 공정을 포함한다. A method of processing a substrate in which a silicon layer and a silicon germanium layer are alternately stacked one above another, includes: forming an oxide film by selectively oxidizing a surface layer of an exposed surface of the silicon germanium layer using a gas containing fluorine and oxygen radicalized with a remote plasma; and removing the oxide film.
Bibliography:Application Number: KR20227035068