Plasma confinement ring apparatus for semiconductor manufacturing including the same and semiconductor device manufacturing method using the same

• Main Authors: KIM NAM KYUN, BAEK SEUNGHAN, AHN SEUNGBIN, LEE CHANGHEON, KO JUNGMIN, KIM TAE HYUN, NAM SANG KI, SEO KWONSANG, JEON KANGMIN, JANG SUNGHO, YOON KUIHYUN, YANG JUNGMO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a plasma confinement ring. The plasma confinement ring comprises: a lower ring; an upper ring on the lower ring; and a connection ring extending vertically to connect the lower ring and the upper ring. The lower ring provides a lower center hole vertically penetrating the lower ring at the center of the lower ring, and a plurality of slits vertically penetrating the lower ring from an outer side of the lower central hole. In addition, each of the plurality of slits extends a certain length in a radial direction of the lower ring, and the plurality of slits are spaced apart from each other in a circumferential direction of the lower ring. The lower ring includes a variable region whose thickness decreases from the outside to the inside. Accordingly, dispersion of plasma can be improved. 하부 링(lower ring); 상기 하부 링 상의 상부 링(upper ring); 및 상하로 연장되어 상기 하부 링과 상기 상부 링을 연결하는 연결 링(connection ring); 을 포함하고, 상기 하부 링은: 상기 하부 링의 중심에서 상기 하부 링을 상하로 관통하는 하부 중심공(lower center hole); 및 상기 하부 중심공의 외측에서 상기 하부 링을 상하로 관통하는 복수 개의 슬릿(slit); 을 제공하며, 상기 복수 개의 슬릿의 각각은 상기 하부 링의 반경 방향(radial direction)으로 일정 길이 연장되되, 상기 복수 개의 슬릿은 상기 하부 링의 원주 방향(circumferential direction)으로 서로 이격되며, 상기 하부 링은 외측에서 내측으로 갈수록 두께가 감소하는 가변 영역을 포함하는 플라즈마 한정 링이 제공된다.