SUBSTRATE CLEANING COMPOSITION METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE USING THE SAME AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

• Main Authors: SONG GA YOUNG, PARK MI HYUN, KIM HYUN JIN, LIM HAN SOL, HAN HOON, LEE JUNG YOUL, LEE HYO SAN, PARK JONG KYOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.10.2022
• Subjects: ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CANDLES; CHEMISTRY; DETERGENT COMPOSITIONS; DETERGENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FATTY ACIDS THEREFROM; METALLURGY; RECOVERY OF GLYCEROL; RESIN SOAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOAP OR SOAP-MAKING; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS

The present invention relates to a composition for cleaning a substrate, a method for cleaning a substrate using the same, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The composition for cleaning a substrate, according to present invention, comprises: a styrene-based copolymer including a first repeating unit represented by Chemical Formula 1-1a and a second repeating unit represented by Chemical Formula 1-1b; an additive; and an alcohol-based solvent. Therefore, it is possible to provide improved particle removal capability during a cracking process of a coating film. 미세 패턴들의 손상을 방지하며 미세 파티클들을 용이하게 제거할 수 있는 기판 세정용 조성물, 그를 이용하는 기판의 세정 방법 및 그를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 기판 세정용 조성물은, 하기 화학식 1-1a로 표시되는 제1 반복단위 및 하기 화학식 1-1b로 표시되는 제2 반복단위를 포함하는 스티렌계 공중합체, 하기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제, 및 탈이온수(Deionized Water)에 대한 용해도가 500 g/L 이하인 알코올계 용매를 포함한다. [화학식 1-1a] JPEGpat00033.jpg3834 (상기 화학식 1-1a에서, R1은 수소 원자이거나, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1~20의 탄화수소기를 나타낸다.) [화학식 1-1b] JPEGpat00034.jpg3834 (상기 화학식 1-1b에서, X는 친수성 작용기를 나타낸다.) [화학식 2-1] JPEGpat00035.jpg1013 (상기 화학식 2-1에서, R2는 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 3~25의 탄화수소기를 나타내고, Y는 친수성 작용기를 나타내고, p는 자연수를 나타낸다.)