반도체 고장 해석 장치

• Main Authors: ARATA IKUO, ITO YOSHIHIRO, IKESU MASATAKA, ISHIZUKA TOSHIMICHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 23.09.2022
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

반도체 고장 해석 장치(1)는 반도체 디바이스(100)에 자극 신호를 인가하는 테스터(2)와, 반도체 디바이스(100)에 조사되는 조사광 L1을 생성하는 광원(3)과, 조사광 L1의 광로 상에 배치되는 고침 렌즈(4)와, 반사광 L2를 받아, 반사광 L2에 따른 검출 신호를 출력하는 광 검출부(5)와, 광원(3)과 고침 렌즈(4)의 사이에 배치되어 고침 렌즈(4)를 통해서 반도체 디바이스(100)에 조사광 L1을 출사함과 아울러, 고침 렌즈(4)와 광 검출부(5)의 사이에 배치되어 고침 렌즈(4)를 통해서 받은 반사광 L2를 광 검출부(5)에 출사하는 광학계(6)와, 검출 신호를 이용하여 반도체 디바이스(100)의 고장 지점에 관한 정보를 얻는 컴퓨터(7)를 구비한다. 광원(3)은 중심 파장이 880nm 이상 980nm 이하인 조사광 L1을 출사한다. 고침 렌즈(4)는 GaAs에 의해서 형성되어 있다. The semiconductor failure analysis device 1 includes: a tester 2 configured to apply a stimulation signal to a semiconductor device 100; a light source 3 configured to generate irradiation light L1 with which the semiconductor device 100 is irradiated; a solid immersion lens 4 disposed on an optical path of the irradiation light L1; a light detection unit 5 configured to receive reflected light L2 and to output a detection signal according to the reflected light L2; an optical system 6 disposed between the light source 3 and the solid immersion lens 4 to emit the irradiation light L1 to the semiconductor device 100 via the solid immersion lens 4 and disposed between the solid immersion lens 4 and the light detection unit 5 to emit the reflected light L2 received via the solid immersion lens 4 to the light detection unit 5; and a computer 7 configured to obtain information on a failure portion of the semiconductor device 100 using the detection signal. The light source 3 emits the irradiation light L1 having a center wavelength of 880 nm or more and 980 nm or less. The solid immersion lens 4 is formed of GaAs.