Semiconductor device having a high breakdown voltage capacitor and method for forming the same

• Main Authors: SHEEN JEONG HO, SHIN KANG SUP, JEONG JONG YEUL, YU GUK HYEON, LEE KYUNG HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device including a high breakdown voltage capacitor structure and a method for fabricating the same, with the aim of forming a dielectric layer with a low band gap only in an area of a high breakdown voltage capacitor. The high breakdown voltage capacitor structure includes an upper electrode, a lower electrode, a thick oxide film formed therebetween, and a dielectric film having a band gap lower than that of the thick oxide film. In addition, although a metal wiring region exists around the high breakdown voltage capacitor structure, the dielectric film with the low band gap is formed only in the area of the high breakdown voltage capacitor but is not formed in a nearby metal wiring region or a nearby device region. The dielectric film having the low band gap is made of PECVD silicon rich oxide, PECVD SiON, or PECVD SiN in the form of a single layer or multiple layers. 본 발명은 고 내압 커패시터 구조를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 고내압 커패시터 구조에는 상부 전극, 하부 전극과 그 사이에 형성된 두꺼운 산화막 및 그 두꺼운 산화막 보다 밴드 갭이 낮은 유전막을 포함한다. 또한 고 내압 커패시터 구조 주변에 금속 배선 영역이 존재하지만, 밴드 갭이 낮은 유전막은 고내압 커패시터 영역에만 형성되고, 주변 금속 배선 영역 또는 주변 소자 영역에는 형성되지 않는다. 낮은 밴드 갭을 갖는 유전막은 PECVD silicon rich oxide 또는 PECVD SiON 또는 PECVD SiN가 싱글 층 또는 복수 층 형태로 형성된다.