CMP에서의 온도 및 슬러리 유량 제어

• Main Authors: SOUNDARARAJAN HARI, BROWN BRIAN J, TANG JIANSHE, WU HAOSHENG, SHEN SHIH HAUR, CHANG SHOU SUNG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 17.08.2022
• Subjects: DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; TRANSPORTING

화학 기계적 연마 시스템은 연마 패드 상에 연마액을 분배하기 위한 연마 포트, 포트로의 연마액의 유량을 제어하기 위한 액체 유동 제어기, 연마 패드의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 시스템, 및 제어 시스템을 포함한다. 제어 시스템은 기본 제거율, 기본 온도 및 기본 연마액 유량을 획득하도록 구성된다. 제거율을 연마액 유량 및 온도에 관련시키는 함수가 저장된다. 이러한 함수는, 결과적인 제거율이 기본 제거율 미만이 아니도록, 감소된 연마액 유량 및 조절된 온도를 결정하는 데에 사용된다. 액체 유동 제어기는, 감소된 연마액 유량으로 연마액을 분배하고 연마 프로세스가 조절된 온도에 도달하도록 온도 제어 시스템을 제어하도록 제어된다. A chemical mechanical polishing system includes a polishing a port to dispense polishing liquid onto a polishing pad and a liquid flow controller to control a flow rate of the polishing liquid to the port, a temperature control system to control a temperature of the polishing pad, and a control system. The control system is configured to obtain a baseline removal rate, a baseline temperature and a baseline polishing liquid flow rate. A function is stored relating removal rate to polishing liquid flow rate and temperature. The function is used to determine a reduced polishing liquid flow rate and an adjusted temperature such that a resulting removal rate is not below the baseline removal rate. The liquid flow controller is controlled to dispense the polishing liquid at the reduced polishing liquid flow rate and control the temperature control system so that the polishing process reaches the adjusted temperature.