OS FEFET 2 2D TWO-DIMENSIONAL 2D MATERIAL FOR OXIDE SEMICONDUCTOR OS FERROELECTRIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR FEFET DEVICE

• Main Authors: MANFRINI MAURICIO, CHANG CHIH YU, YEONG SAI HOOI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure relates to a ferroelectric field effect transistor (FeFET) device. In some embodiments, a FeFET device includes a ferroelectric layer having a first side and a second side opposite the first side, and a gate electrode disposed along the first side of the ferroelectric layer. The FeFET device further includes an OS channel layer disposed along the second side of the ferroelectric layer opposite the first side and a pair of source/drain regions disposed on opposite sides of the OS channel layer. The FeFET device also includes a 2D contact layer disposed along the OS channel layer. The OS channel layer has a first doping type, and the 2D contact layer has a second doping type different from the first doping type. 본 개시내용은 강유전체 전계 효과 트랜지스터 (FeFET) 디바이스에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, FeFET 디바이스는 제1 면과 제1 면의 반대편의 제2 면을 갖는 강유전체 층 및 강유전체 층의 제1 면을 따라 배치된 게이트 전극을 포함한다. FeFET 디바이스는 제1 면 반대편의 강유전체 층의 제2 면을 따라 배치된 OS 채널 층 및 OS 채널 층의 반대편 면들 상에 배치된 한 쌍의 소스/드레인 영역들을 더 포함한다. FeFET 디바이스는 OS 채널 층을 따라 배치된 2D 접촉 층을 더 포함한다. OS 채널 층은 제1 도핑 유형을 갖고, 2D 접촉 층은 제1 도핑 유형과 상이한 제2 도핑 유형을 갖는다.