ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

• Main Authors: HOSONO MASAKI, SATOU KANAME, SHIMIZU AKITAKA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, Si 또는 SiN을 에칭할 때, 표면 조도를 양호하게 해서 에칭할 수 있는 에칭 방법 및 에칭 장치를 제공한다. 기판에 존재하는 Si 또는 SiN을 에칭하는 에칭 방법은, Si 또는 SiN을 갖는 기판에 대하여 라디칼 산화 처리를 실시하여, Si 또는 SiN의 표면에 산화막을 생성하는 것과, 산화막에 대하여 가스에 의한 화학적 처리를 행하는 것과, 화학적 처리에 의해 생성된 반응 생성물을 제거하는 것을 갖고, 산화막을 생성하는 것과, 화학적 처리를 행하는 것과, 반응 생성물을 제거하는 것을 복수회 반복한다. An etching method of etching Si or SiN existing on a substrate, includes: forming an oxide film on a surface of Si or SiN by performing a radical oxidation process on the substrate having Si or SiN; performing a gas-based chemical process on the oxide film; and removing reaction products produced by the gas-based chemical process, wherein the forming the oxide film, the performing the gas-based chemical process, and the removing the reaction products are repeated a plurality of times.