할로겐화된 실릴아미드들을 사용하여 SiCO(N)를 원자층 증착하는 방법들

• Main Authors: SALY MARK, BHUYAN BHASKAR JYOTI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.05.2022
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Si, C, O 및 N을 포함하는 막들을 형성하는 방법들이 제공된다. 특정 방법들은 하이드록사이드 말단부들을 갖는 막을 형성하기 위한 규소 전구체 및 알코올-아민에 대한 하이드록사이드 말단 기판 표면의 순차적 노출들을 포함한다. 특정 방법들은 아민 말단 표면을 갖는 막을 형성하기 위한 규소 전구체 및 디아민에 대한 하이드록사이드 말단 기판 표면의 순차적 노출들, 이후 하이드록사이드 말단 표면을 갖는 막을 형성하기 위한 규소 전구체 및 디올에 대한 순차적 노출들을 포함하였다. Methods for the formation of films comprising Si, C, O and N are provided. Certain methods involve sequential exposures of a hydroxide terminated substrate surface to a silicon precursor and an alcohol-amine to form a film with hydroxide terminations. Certain methods involved sequential exposures of hydroxide terminated substrate surface to a silicon precursor and a diamine to form a film with an amine terminated surface, followed by sequential exposures to a silicon precursor and a diol to form a film with a hydroxide terminated surface.