CD CRITICAL DIMENSION ALD ATOMIC LAYER DEPOSITION ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR CRITICAL DIMENSION CONTROL

• Main Authors: KIMURA YOSHIE, ZHOU XIANG, ZHANG DUMING, XU CHEN, UPADHYAYA GANESH, BROOKS MITCHELL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

통합된 원자 층 증착 (ALD: atomic layer deposition) 및 에칭 프로세스들을 사용하여 기판 피처들의 CD (critical dimension) 제어를 위한 방법들 및 장치들이 본 명세서에 기술된다. 방법들은 피처들의 마스크 패턴에 의해 후속하여 형성될 구조체들의 목표된 폭보다 작은 폭을 갖는 기판 상에 피처들의 마스크 패턴을 형성하도록 에칭하는 단계, 피처들의 마스크 패턴의 폭을 목표된 폭으로 증가시키는 ALD에 의해 패시베이션 층을 컨포멀하게 (conformally) 증착하는 단계, 및 목표된 폭을 갖는 복수...