패터닝된 금속 산화물 포토레지스트들의 선량 감소

• Main Authors: DIEHL DANIEL LEE, RAMALINGAM JOTHILINGAM, MALLICK ABHIJIT B, YAN LIFAN, HWANG HO YUNG, SINGH TEJINDER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.03.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, EUV(extreme ultraviolet) 리소그래피에서 마스크로서 사용되는 다층 스택 및 다층 스택을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은, 막 스택 위에 탄소 층을 형성하는 단계, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스에 의해 탄소 층 상에 금속 풍부 산화물 층을 형성하는 단계, 금속 풍부 산화물 층 상에 금속 산화물 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 및 금속 산화물 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계를 포함한다. 금속 산화물 포토레지스트 층은 금속 풍부 산화물 층과 상이하고, PVD 프로세스와 상이한 프로세스에 의해 형성된다. PVD 프로세스에 의해 형성된 금속 풍부 산화물 층은 금속 산화물 포토레지스트 층의 접착을 개선시키고 EUV 리소그래피 동안 2차 전자들을 증가시키며, 이는 감소된 EUV 선량 에너지들을 유발한다. Embodiments of the present disclosure generally relate to a multilayer stack used as a mask in extreme ultraviolet (EUV) lithography and methods for forming a multilayer stack. In one embodiment, the method includes forming a carbon layer over a film stack, forming a metal rich oxide layer on the carbon layer by a physical vapor deposition (PVD) process, forming a metal oxide photoresist layer on the metal rich oxide layer, and patterning the metal oxide photoresist layer. The metal oxide photoresist layer is different from the metal rich oxide layer and is formed by a process different from the PVD process. The metal rich oxide layer formed by the PVD process improves adhesion of the metal oxide photoresist layer and increases the secondary electrons during EUV lithography, which leads to decreased EUV dose energies.