SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: PARK SEONG HWA, LEE KWAN HEUM, SEO SO HYUN, YEOM DONG HYUK, KIM JUN KYUM
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 27.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device with an improvement in a yield and operation characteristics, and a manufacturing method thereof. The semiconductor device includes: a gate electrode extended in a first direction, on a substrate; a first external spacer extended along a side of the gate electrode; a first active pattern extended in a second direction crossing with the first direction, to penetrate the gate electrode and the first external spacer; an epitaxial pattern connected with the first active pattern, on a side of the first external spacer; a second external spacer interposed in an area between the first external spacer and the epitaxial pattern; and internal spacers interposed between the substrate and the first active pattern and between the gate electrode and the epitaxial pattern, wherein, on a cross section crossing with the second direction, at least one part of the second external spacer covers a side of the first active pattern and a side of the internal spacers. 수율 및 동작 특성이 향상된 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 기판 상에, 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극, 게이트 전극의 측면을 따라 연장되는 제1 외부 스페이서, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 게이트 전극 및 제1 외부 스페이서를 관통하는 제1 활성 패턴, 제1 외부 스페이서의 측면 상에, 제1 활성 패턴과 접속되는 에피택셜 패턴, 제1 외부 스페이서와 에피택셜 패턴 사이의 영역에 개재되는 제2 외부 스페이서, 및 기판과 제1 활성 패턴 사이 및 게이트 전극과 에피택셜 패턴 사이에 개재되는 내부 스페이서를 포함하되, 제2 방향과 교차하는 단면에서, 제2 외부 스페이서의 적어도 일부는 제1 활성 패턴의 측면 및 내부 스페이서의 측면을 덮는다.