SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD

• Main Authors: HUANG KUO BIN, LIAO SSU YU, YEH MING HSI, FAN CHUN HSIANG, SU TSU HUI, WANG YU WEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are a method for improving profile of a channel region in a semiconductor device and a semiconductor device formed thereby. According to one embodiment, the method comprises: a step of forming a semiconductor fin over a semiconductor substrate, wherein the semiconductor fin comprises germanium, a germanium concentration of a first portion of the semiconductor fin is greater than a germanium concentration of a second portion of the semiconductor fin, and the first portion and a first distance between the major surface of the semiconductor substrate is less than a second distance between the second portion and the major surface of the semiconductor substrate; and a step of trimming the semiconductor fin, wherein the first portion of the semiconductor fin is trimmed at a greater rate than the second portion of the semiconductor fin. 반도체 디바이스에서 채널 영역의 프로파일을 개선시키기 위한 방법 및 이에 의해 형성된 반도체 디바이스가 개시된다. 일 실시예에서, 방법은 반도체 기판 위에 반도체 핀을 형성하는 단계 - 반도체 핀은 게르마늄을 포함하고, 반도체 핀의 제1 부분의 게르마늄 농도는 반도체 핀의 제2 부분의 게르마늄 농도보다 크며, 제1 부분과 반도체 기판의 주 표면 사이의 제1 거리는 제2 부분과 반도체 기판의 주 표면 사이의 제2 거리보다 작음 - ; 및 반도체 핀을 트리밍하는 단계 - 반도체 핀의 제1 부분은 반도체 핀의 제2 부분보다 큰 레이트로 트리밍됨 - 를 포함한다.