CVD GAS FLOW PROFILE MODULATED CONTROL OF OVERLAY IN PLASMA CVD FILMS

• Main Authors: KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR, PANDIT MANDAR B, LEE KWANGDUK DOUGLAS, JING LEI, RATHI SUDHA, DUAN ZIQING, BALASUBRAMANIAN GANESH, SEAMONS MARTIN J, KIM BOK HOEN, BASU SAPTARSHI, JHA PRAKET P
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

하나 또는 그 초과의 패터닝 막들의 국부적인 응력 및 오버레이 에러를 조절하기 위한 방법들은, 챔버 바디 내로 도입되는 가스들의 가스 유동 프로파일을 조절하는 단계, 기판을 향하여 챔버 바디 내에서 가스들을 유동시키는 단계, 기판을 회전시키는 단계, 및 이중 구역 가열기로 기판 온도를 제어함으로써, 기판의 중앙-대-에지 온도 프로파일을 통일시키는 단계를 포함할 수 있다. 막을 증착하기 위한 챔버는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 영역들을 포함하는 챔버 바디를 포함할 수 있다. 챔버 바디는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 영역들 내로 가...