CVD GAS FLOW PROFILE MODULATED CONTROL OF OVERLAY IN PLASMA CVD FILMS
하나 또는 그 초과의 패터닝 막들의 국부적인 응력 및 오버레이 에러를 조절하기 위한 방법들은, 챔버 바디 내로 도입되는 가스들의 가스 유동 프로파일을 조절하는 단계, 기판을 향하여 챔버 바디 내에서 가스들을 유동시키는 단계, 기판을 회전시키는 단계, 및 이중 구역 가열기로 기판 온도를 제어함으로써, 기판의 중앙-대-에지 온도 프로파일을 통일시키는 단계를 포함할 수 있다. 막을 증착하기 위한 챔버는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 영역들을 포함하는 챔버 바디를 포함할 수 있다. 챔버 바디는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 영역들 내로 가...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
02.12.2021
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Summary: | 하나 또는 그 초과의 패터닝 막들의 국부적인 응력 및 오버레이 에러를 조절하기 위한 방법들은, 챔버 바디 내로 도입되는 가스들의 가스 유동 프로파일을 조절하는 단계, 기판을 향하여 챔버 바디 내에서 가스들을 유동시키는 단계, 기판을 회전시키는 단계, 및 이중 구역 가열기로 기판 온도를 제어함으로써, 기판의 중앙-대-에지 온도 프로파일을 통일시키는 단계를 포함할 수 있다. 막을 증착하기 위한 챔버는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 영역들을 포함하는 챔버 바디를 포함할 수 있다. 챔버 바디는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 영역들 내로 가스들을 전달하기 위한 블로커 플레이트를 갖는 가스 분배 어셈블리를 포함할 수 있다. 블로커 플레이트는 제 1 영역 및 제 2 영역을 가질 수 있고, 제 1 영역 및 제 2 영역은 각각, 복수의 홀들을 가질 수 있다. 챔버 바디는 이중 구역 가열기를 가질 수 있다.
Methods for modulating local stress and overlay error of one or more patterning films may include modulating a gas flow profile of gases introduced into a chamber body, flowing gases within the chamber body toward a substrate, rotating the substrate, and unifying a center-to-edge temperature profile of the substrate by controlling the substrate temperature with a dual zone heater. A chamber for depositing a film may include a chamber body comprising one or more processing regions. The chamber body may include a gas distribution assembly having a blocker plate for delivering gases into the one or more processing regions. The blocker plate may have a first region and a second region, and the first region and second region each may have a plurality of holes. The chamber body may have a dual zone heater. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217038629 |