반도체 웨이퍼의 평가 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법

• Main Authors: TANAKA HIRONORI, NISHIMURA MASASHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; MEASURING; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING; TRANSPORTING

반도체 웨이퍼의 주면이 회색 대역으로서 촬상되고 또한 모따기면이 흑색 대역으로서 촬상되도록 설정된 반사형 미분 간섭 현미경에 의해, 평가 대상의 반도체 웨이퍼의 외주부의 평가 대상 위치에 있어서 미분 간섭상을 취득하는 것을 포함하고, 상기 미분 간섭상은, 회색 대역과 흑색 대역을 포함하고, 상기 회색 대역과 상기 흑색 대역의 사이에 백색 대역을 추가로 포함하고, 상기 백색 대역의 폭(W)을 지표로 하여, 상기 평가 대상 위치에 있어서의 반도체 웨이퍼의 주면과 이 주면과 인접하는 모따기면의 경계부의 형상을 평가하는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 평가 방법이 제공된다. Provided is a semiconductor wafer evaluation method including acquiring a differential interference image at an evaluation position on an outer peripheral portion of a semiconductor wafer to be evaluated with a reflection type differential interference microscope that is set so that a main surface of the semiconductor wafer is imaged as a gray band and a chamfered surface thereof is imaged as a black band, the differential interference image including the gray band and the black band, and further including a white band between the gray band and the black band; and evaluating a shape of a boundary portion between the main surface of the semiconductor wafer and the chamfered surface adjacent to the main surface at the evaluation position by using a width W of the white band as an indicator.