3D NAND 애플리케이션을 위한 막 스택 오버레이 개선

• Main Authors: ROCHA ALVAREZ JUAN CARLOS, JORAPUR NIKHIL SUDHINDRARAO, BAEK JONGHOON, BENJAMIN RAJ DAEMIAN RAJ, ADDEPALLI SAI SUSMITA, CHICHKANOFF GREGORY EUGENE, OGATA MASAKI, ENSLOW KRISTOPHER, IBRAHIMI ZAKARIA, SRIVASTAVA SHAILENDRA, GUNG TZA JING, PADHI DEENESH, HAN XINHAI, WANG WENJIAO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 09.07.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 개시내용의 실시예들은, 일련의 증착 및 리소그래피 노출 프로세스들 후에 오버레이 에러에 최소한의 기여를 할 수 있는, 막 층을 증착하기 위한 장치 및 방법을 설명한다. 일 예에서, 방법은, 프로세스 챔버 내의 기판 지지부 상에 기판을 포지셔닝하는 단계, 및 기판의 응력 프로파일에 따라, 기판 지지부를 향하는 볼록 표면 또는 기판 지지부를 향하는 오목 표면을 갖는 샤워헤드를 통해, 실리콘 함유 가스 및 반응 가스를 포함하는 증착 가스 혼합물을 프로세스 챔버로 유동시키는 단계를 포함한다. 샤워헤드의 중심점을 중심으로 대칭적으로 배열된, 샤워헤드의 다수의 커플링 지점들에 RF 전력을 인가함으로써, 프로세스 챔버에서 증착 가스 혼합물의 존재 시 플라즈마가 형성된다. 그런 다음, 기판에 대해 증착 프로세스가 수행된다. An apparatus and a method for depositing a film layer that may have minimum contribution to overlay error after a sequence of deposition and lithographic exposure processes are provided. In one example, a method includes positioning a substrate on a substrate support in a process chamber, and flowing a deposition gas mixture comprising a silicon containing gas and a reacting gas to the process chamber through a showerhead having a convex surface facing the substrate support or a concave surface facing the substrate support in accordance with a stress profile of the substrate. A plasma is formed in the presence of the deposition gas mixture in the process chamber by applying an RF power to multiple coupling points of the showerhead that are symmetrically arranged about a center point of the showerhead. A deposition process is then performed on the substrate.