복수의 일함수 워드 라인들을 포함하는 3차원 메모리 디바이스 및 그 형성 방법
3차원 메모리 디바이스는 기판 위에 위치한 전기 전도성 층들과 절연 층들의 교번하는 스택, 교번하는 스택을 통해 수직으로 연장되는 메모리 개구들, 및 교번하는 스택을 통해 연장되는 메모리 스택 구조물들을 포함한다. 메모리 스택 구조물들 각각은 메모리 필름 및 수직 반도체 채널을 포함한다. 전기 전도성 층들 중 적어도 하나는 수직 계면에서 메모리 필름들 중 각자의 필름과 접촉하는 각자의 내측 측벽을 갖는 제1 전도성 재료 부분; 및 제1 전도성 재료 부분과 상이한 조성을 갖고 제1 전기 전도성 재료 부분과 접촉하는 제2 전도성 재료...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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06.07.2021
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Abstract | 3차원 메모리 디바이스는 기판 위에 위치한 전기 전도성 층들과 절연 층들의 교번하는 스택, 교번하는 스택을 통해 수직으로 연장되는 메모리 개구들, 및 교번하는 스택을 통해 연장되는 메모리 스택 구조물들을 포함한다. 메모리 스택 구조물들 각각은 메모리 필름 및 수직 반도체 채널을 포함한다. 전기 전도성 층들 중 적어도 하나는 수직 계면에서 메모리 필름들 중 각자의 필름과 접촉하는 각자의 내측 측벽을 갖는 제1 전도성 재료 부분; 및 제1 전도성 재료 부분과 상이한 조성을 갖고 제1 전기 전도성 재료 부분과 접촉하는 제2 전도성 재료 부분을 포함한다. 제1 전도성 재료 부분은 제2 전도성 재료 부분보다 낮은 일함수를 갖는다.
A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers located over a substrate, memory openings vertically extending through the alternating stack, and memory stack structures extending through the alternating stack. Each of the memory stack structures contains a memory film and a vertical semiconductor channel. At least one of the electrically conductive layers contains a first conductive material portion having a respective inner sidewall that contacts a respective one of the memory films at a vertical interface, and a second conductive material portion that has a different composition from the first conductive material portion, and contacting the first electrically conductive material portion. The first conductive material portion has a lower work function than the second conductive material portion. |
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AbstractList | 3차원 메모리 디바이스는 기판 위에 위치한 전기 전도성 층들과 절연 층들의 교번하는 스택, 교번하는 스택을 통해 수직으로 연장되는 메모리 개구들, 및 교번하는 스택을 통해 연장되는 메모리 스택 구조물들을 포함한다. 메모리 스택 구조물들 각각은 메모리 필름 및 수직 반도체 채널을 포함한다. 전기 전도성 층들 중 적어도 하나는 수직 계면에서 메모리 필름들 중 각자의 필름과 접촉하는 각자의 내측 측벽을 갖는 제1 전도성 재료 부분; 및 제1 전도성 재료 부분과 상이한 조성을 갖고 제1 전기 전도성 재료 부분과 접촉하는 제2 전도성 재료 부분을 포함한다. 제1 전도성 재료 부분은 제2 전도성 재료 부분보다 낮은 일함수를 갖는다.
A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers located over a substrate, memory openings vertically extending through the alternating stack, and memory stack structures extending through the alternating stack. Each of the memory stack structures contains a memory film and a vertical semiconductor channel. At least one of the electrically conductive layers contains a first conductive material portion having a respective inner sidewall that contacts a respective one of the memory films at a vertical interface, and a second conductive material portion that has a different composition from the first conductive material portion, and contacting the first electrically conductive material portion. The first conductive material portion has a lower work function than the second conductive material portion. |
Author | ZHANG PENG BARASKAR ASHISH MAKALA RAGHUVEER S ZHAO WEI ZHANG YANLI MOON DONG IL |
Author_xml | – fullname: BARASKAR ASHISH – fullname: ZHANG PENG – fullname: ZHANG YANLI – fullname: ZHAO WEI – fullname: MOON DONG IL – fullname: MAKALA RAGHUVEER S |
BookMark | eNrjYmDJy89L5WTIfL1565uOGW_mzlB4M3fP26krgByFN7N7Xk-eo_B67p43c3e8nrzkzdwWhbf9a4Cyb6fOeN01RcH4zYYVb2ZPUHi9csrrVSteL1uj8HrKlNcbpryZu-VN1xKF1xv6FV5t36HwdsbUNy0bgdyVrzdN5WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8d5BRgZGhgYGFsbGFsaOxsSpAgBpwGCU |
ContentType | Patent |
DBID | EVB |
DatabaseName | esp@cenet |
DatabaseTitleList | |
Database_xml | – sequence: 1 dbid: EVB name: esp@cenet url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP sourceTypes: Open Access Repository |
DeliveryMethod | fulltext_linktorsrc |
Discipline | Medicine Chemistry Sciences |
ExternalDocumentID | KR20210083383A |
GroupedDBID | EVB |
ID | FETCH-epo_espacenet_KR20210083383A3 |
IEDL.DBID | EVB |
IngestDate | Fri Aug 23 06:57:17 EDT 2024 |
IsOpenAccess | true |
IsPeerReviewed | false |
IsScholarly | false |
Language | Korean |
LinkModel | DirectLink |
MergedId | FETCHMERGED-epo_espacenet_KR20210083383A3 |
Notes | Application Number: KR20217020021 |
OpenAccessLink | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210706&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20210083383A |
ParticipantIDs | epo_espacenet_KR20210083383A |
PublicationCentury | 2000 |
PublicationDate | 20210706 |
PublicationDateYYYYMMDD | 2021-07-06 |
PublicationDate_xml | – month: 07 year: 2021 text: 20210706 day: 06 |
PublicationDecade | 2020 |
PublicationYear | 2021 |
RelatedCompanies | SANDISK TECHNOLOGIES LLC |
RelatedCompanies_xml | – name: SANDISK TECHNOLOGIES LLC |
Score | 3.3203437 |
Snippet | 3차원 메모리 디바이스는 기판 위에 위치한 전기 전도성 층들과 절연 층들의 교번하는 스택, 교번하는 스택을 통해 수직으로 연장되는 메모리 개구들, 및 교번하는 스택을 통해 연장되는 메모리 스택 구조물들을 포함한다. 메모리 스택 구조물들 각각은 메모리 필름 및 수직 반도체 채널을... |
SourceID | epo |
SourceType | Open Access Repository |
SubjectTerms | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
Title | 복수의 일함수 워드 라인들을 포함하는 3차원 메모리 디바이스 및 그 형성 방법 |
URI | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210706&DB=EPODOC&locale=&CC=KR&NR=20210083383A |
hasFullText | 1 |
inHoldings | 1 |
isFullTextHit | |
isPrint | |
link | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwY2BQMTROTDEwTLXUNYQcqm2eomthZGiiC6z6zUxN01JNUpJAG5x9_cw8Qk28IkwjmBhyYHthwOeEloMPRwTmqGRgfi8Bl9cFiEEsF_DaymL9pEygUL69W4itixq0dwzsv5gbmKm5ONm6Bvi7-DurOTvbegep-QVB5IDNDWCHzJGZgRXUkAadtO8a5gTal1KAXKm4CTKwBQDNyysRYmDKzhdm4HSG3b0mzMDhC53yBjKhua9YhCHz9eatbzpmvJk7Q-HN3D1vp64AchTezO55PXmOwuu5e97M3fF68pI3c1sU3vavAcq-nTrjddcUBeM3G1a8mT1B4fXKKa9XrXi9bI3C6ylTXm-Y8mbuljddSxReb-hXeLV9h8LbGVPftGwEcle-3jRVlEHZzTXE2UMX6OZ4eBDFewche9BYjIElLz8vVYJBwTTVKNHC0ggY_JaWJmnGaUmmaclmyaZJKUbGaSbAul6SQQafSVL4paUZuEBc8PJVMxkGlpKi0lRZYCVdkiQHDlsA462zuQ |
link.rule.ids | 230,309,786,891,25594,76904 |
linkProvider | European Patent Office |
linkToHtml | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwY2BQMTROTDEwTLXUNYQcqm2eomthZGiiC6z6zUxN01JNUpJAG5x9_cw8Qk28IkwjmBhyYHthwOeEloMPRwTmqGRgfi8Bl9cFiEEsF_DaymL9pEygUL69W4itixq0dwzsv5gbmKm5ONm6Bvi7-DurOTvbegep-QVB5IDNDWCHzJGZgdUc2CkEnbTvGuYE2pdSgFypuAkysAUAzcsrEWJgys4XZuB0ht29JszA4Qud8gYyobmvWIQh8_XmrW86ZryZO0Phzdw9b6euAHIU3szueT15jsLruXvezN3xevKSN3NbFN72rwHKvp0643XXFAXjNxtWvJk9QeH1yimvV614vWyNwuspU15vmPJm7pY3XUsUXm_oV3i1fYfC2xlT37RsBHJXvt40VZRB2c01xNlDF-jmeHgQxXsHIXvQWIyBJS8_L1WCQcE01SjRwtIIGPyWliZpxmlJpmnJZsmmSSlGxmkmwLpekkEGn0lS-KXlGTg9Qnx94n08_bylGbhAUuClrGYyDCwlRaWpssAKuyRJDhzOAHMTtqQ |
openUrl | ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=%EB%B3%B5%EC%88%98%EC%9D%98+%EC%9D%BC%ED%95%A8%EC%88%98+%EC%9B%8C%EB%93%9C+%EB%9D%BC%EC%9D%B8%EB%93%A4%EC%9D%84+%ED%8F%AC%ED%95%A8%ED%95%98%EB%8A%94+3%EC%B0%A8%EC%9B%90+%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC+%EB%94%94%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%8A%A4+%EB%B0%8F+%EA%B7%B8+%ED%98%95%EC%84%B1+%EB%B0%A9%EB%B2%95&rft.inventor=BARASKAR+ASHISH&rft.inventor=ZHANG+PENG&rft.inventor=ZHANG+YANLI&rft.inventor=ZHAO+WEI&rft.inventor=MOON+DONG+IL&rft.inventor=MAKALA+RAGHUVEER+S&rft.date=2021-07-06&rft.externalDBID=A&rft.externalDocID=KR20210083383A |