위상 제어를 사용하여 플라즈마 분배를 조절하기 위한 디바이스 및 방법

• Main Authors: KOBAYASHI SATORU, HAMMOND EDWARD P. IV, BAEK JONGHOON, LI XIAOPU, BANSAL AMIT KUMAR, MA JUN, BERA KALLOL
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본원에서 설명되는 실시예들은, 프로세스 챔버에서의 RF(radio frequency) 위상 제어를 위한 장치 및 기법들에 관한 것이다. 프로세스 볼륨이 프로세스 챔버에서 페이스플레이트 전극 및 지지 페데스탈에 의해 정의된다. 접지 보울이 프로세스 챔버 내에서 프로세스 볼륨에 대향하게 지지 페데스탈 주위에 배치된다. 접지 보울은 프로세스 볼륨 이외의, 지지 페데스탈 아래의 볼륨을 실질적으로 충전한다. 위상 조절기 회로가 지지 페데스탈에 배치된 RF 메시, 및 페이스플레이트 전극에 커플링된다. 조절기 회로는 페이스플레이트 전극의 위상과 RF 메시의 위상 사이의 위상차를 조정한다. Embodiments described herein relate to apparatus and techniques for radio frequency (RF) phase control in a process chamber. A process volume is defined in the process chamber by a faceplate electrode and a support pedestal. A grounding bowl is disposed within the process chamber about the support pedestal opposite the process volume. The grounding bowl substantially fills a volume other than the process volume below the support pedestal. A phase tuner circuit is coupled to an RF mesh disposed in the support pedestal and the faceplate electrode. The tuner circuit adjusts a phase difference between a phase of the faceplate electrode and a phase of the RF mesh.