ETCHING METHOD DAMAGE LAYER REMOVAL METHOD AND STORAGE MEDIUM

• Main Author: SHIMIZU AKITAKA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.04.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a technique capable of sufficiently removing a damage layer generated in a pattern after plasma etching using a gas including a CF-based gas. The etching method includes: preparing a substrate having an etching target portion formed on a silicon-containing portion; plasma-etching the etching target portion of the substrate into a predetermined pattern by plasma of a processing gas including a CF-based gas; and removing a damage layer generated by embedding C and F into the silicon-containing portion exposed at a bottom of the pattern by the plasma etching, wherein the removing of the damage layer includes: forming an oxide of the damage layer by supplying oxygen-containing radicals and fluorine-containing radicals to oxidize the damage layer with the oxygen-containing radicals while etching the damage layer with the fluorine-containing radicals; and removing the oxide by a chemical treatment with a gas or a radical treatment. [과제] CF계 가스를 포함하는 가스를 이용한 플라즈마 에칭 후의 패턴에 생성되는 대미지층을 충분히 제거할 수 있는 기술을 제공한다. [해결 수단] 에칭 방법은, 실리콘 함유 부분 상에 형성된 에칭 대상부를 갖는 기판을 준비하는 공정과, 기판의 에칭 대상부를, CF계 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 소정 패턴으로 플라즈마 에칭하는 공정과, 플라즈마 에칭에 의해, 패턴의 저부에 노출되는 실리콘 함유 부분에 C 및 F가 박혀 생성된 대미지층을 제거하는 공정을 갖고, 대미지층을 제거하는 공정은, 산소를 포함하는 라디칼 및 불소를 포함하는 라디칼을 공급하여, 대미지층을 불소를 포함하는 라디칼로 에칭하면서 산소를 포함하는 라디칼에 의해 산화시켜 대미지층의 산화물을 형성하는 공정과, 산화물을, 가스에 의한 화학적 처리 또는 라디칼 처리에 의해 제거하는 공정을 갖는다.