이종 전구체 상호 작용을 사용한 탄화 실리콘 막의 컨포멀한 증착

• Main Authors: WEIMER MATTHEW SCOTT, GUI ZHE, VARADARAJAN BHADRI N, GONG BO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 05.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

도핑되거나 도핑되지 않은 탄화 실리콘 막이 리모트 플라즈마 CVD (chemical vapor deposition) 기법을 사용하여 증착될 수 있다. 하나 이상의 실리콘-함유 전구체들이 반응 챔버에 제공된다. 수소 라디칼 종과 같은 라디칼 종은 실질적으로 저 에너지 상태 또는 바닥 상태로 제공되고 탄화 실리콘 막을 증착하기 위해 하나 이상의 실리콘-함유 전구체들과 상호 작용한다. 공-반응물질이 하나 이상의 실리콘-함유 전구체들과 함께 흐를 수도 있고, 공-반응물질은 탄화 실리콘 막의 단차 커버리지를 증가시키기 위한 증착 첨가제 또는 비증착 첨가제일 수 있다. A doped or undoped silicon carbide film can be deposited using a remote plasma chemical vapor deposition (CVD) technique. One or more silicon-containing precursors are provided to a reaction chamber. Radical species, such as hydrogen radical species, are provided in a substantially low energy state or ground state and interact with the one or more silicon-containing precursors to deposit the silicon carbide film. A co-reactant may be flowed with the one or more silicon-containing precursors, where the co-reactant can be a depositing additive or a non-depositing additive to increase step coverage of the silicon carbide film.