전면 이미지 센서 및 이러한 이미지 센서를 제조하기 위한 프로세스

• Main Authors: ECARNOT LUDOVIC, SELLIER MANUEL, SCHWARZENBACH WALTER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 26.02.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 전면 이미지 센서에 관한 것이며, 전면 이미지 센서는 연속적으로: - 반도체 캐리어 기판(1), - 제1 전기 절연 분리층(2a), 및 - 포토다이오드들의 매트릭스 어레이를 포함하는, 활성층이라고 하는 단결정 반도체층(3a)을 포함하고, 상기 이미지 센서는 캐리어 기판(1)과 제1 전기 절연층(2a) 사이에: - 제2 전기 절연 분리층(2b), 및 - 제2 분리층(2b)과 제1 분리층(2a) 사이에 배열된, 중간층이라고 하는 제2 전기 전도성 또는 반도전성 층(4)을 더 포함하고, 제2 분리층(2b)은 제1 분리층(2a)보다 두꺼운 것을 특징으로 한다. The invention relates to a front-side imager comprising in succession: -a semiconductor carrier substrate, a first electrically insulating separating layer, and a single-crystal semiconductor layer, called the active layer, comprising a matrix array of photodiodes, wherein the imager further comprises between the carrier substrate and the first electrically insulating layer: -a second electrically insulating separating layer, and -a second semiconductor or electrically conductive layer, called the intermediate layer, arranged between the second separating layer and the first separating layer, the second separating layer being thicker than the first separating layer.