수평 액세스 라인을 가진 자가-선택 메모리 어레이

• Main Authors: PELLIZZER FABIO, FRATIN LORENZO, PIROVANO AGOSTINO, MEYER RUSSELL L
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 19.10.2020
• Subjects: ELECTRICITY

수평 액세스 라인을 가진 자가-선택 메모리를 위한 방법, 시스템 및 디바이스가 설명된다. 메모리 어레이는 상이한 방향으로 연장되는 제1 액세스 라인 및 제2 액세스 라인을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 액세스 라인은 제1 방향으로 연장될 수도 있고, 제2 액세스 라인은 제2 방향으로 연장될 수도 있다. 각각의 교차점에서, 복수의 메모리 셀이 존재할 수도 있고, 복수의 메모리 셀의 각각은 자가-선택 물질과 접촉할 수도 있다. 게다가, 유전체 물질은 적어도 하나의 방향에서 제1 복수의 메모리 셀과 제2 복수의 메모리 셀 사이에 배치될 수도 있다. 각각 셀 군(예를 들어, 제1 복수의 메모리 셀 및 제2 복수의 메모리 셀)은 제1 액세스 라인 및 제2 액세스 라인 중 하나와 각각 접촉할 수도 있다. Methods, systems, and devices for self-selecting memory with horizontal access lines are described. A memory array may include first and second access lines extending in different directions. For example, a first access line may extend in a first direction, and a second access line may extend in a second direction. At each intersection, a plurality of memory cells may exist, and each plurality of memory cells may be in contact with a self-selecting material. Further, a dielectric material may be positioned between a first plurality of memory cells and a second plurality of memory cells in at least one direction. each cell group (e.g., a first and second plurality of memory cells) may be in contact with one of the first access lines and second access lines, respectively.