플라즈마의 에칭 효과에 대한 보호를 위한 차폐부를 갖는 EUV 방사선용 광학 장치

• Main Authors: HARTJES JOACHIM, HILD KERSTIN, HAAS SIMON, BECKER MORITZ, LIEBAUG BJOERN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.03.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

본 발명은 EUV 방사선(33)을 반사하는 코팅(31)을 갖는 본체(30)를 갖는 적어도 하나의 반사 광학 요소(16)를 포함하는 EUV 방사선용 광학 장치(1)에 관한 것이다. 적어도 하나의 차폐부(36)가 본체(30)의 적어도 하나의 표면 영역(35)에 장착되고, 광학 장치(1)의 동작 중에 반사 광학 요소(16)를 둘러싸는 플라즈마(H, H)의 에칭 효과에 대해 적어도 하나의 표면 영역(35)을 보호한다. 차폐부(36)와 본체(30)의 표면 영역(35) 사이의 거리(A)는 주위 플라즈마(H, H)의 디바이 길이(λ)의 2배 미만, 바람직하게는 디바이 길이(λ) 미만이다. An optical arrangement (1) for EUV radiation includes: at least one reflective optical element (16) having a main body (30) with a coating (31) that reflects EUV radiation (33). At least one shield (36) is fitted to at least one surface region (35) of the main body (30) and protects the at least one surface region (35) against an etching effect of a plasma (H+, H*) that surrounds the reflective optical element (16) during operation of the optical arrangement (1). A distance (A) between the shield (36) and the surface region (35) of the main body (30) is less than double the Debye length (λD), preferably less than the Debye length (λD), of the surrounding plasma (H+, H*).