SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: FUJII NOBUTOSHI, KAGAWA YOSHIHISA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.03.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

제1의 반도체 장치는, 제1 층간절연막과, 제1 층간절연막 내에 매입되고, 일방의 표면이 제1 층간절연막의 일방의 표면과 동일면상에 위치한 제1 전극 패드와, 제1 층간절연막 내에 매입되고, 일방의 표면이 제1 층간절연막의 일방의 표면과 동일면상에 위치하고, 제1 전극 패드의 주위에 배설된 제1 더미 전극을 포함하는 제1 배선층과, 제2 층간절연막과, 제2 층간절연막 내에 매입되고, 일방의 표면이 제2 층간절연막의 일방의 표면과 동일 표면상에 위치하고, 또한 제1 전극 패드에 접합된 제2 전극 패드와, 일방의 표면이 제2 층간절연막의 제1 층간절연막측의 표면과 동일면상에 위치하고, 제2 전극 패드의 주위에 배설되고, 제1 더미 전극에 접합된 제2 더미 전극을 포함하는 제2 배선층을 포함하고 있다. 제2의 반도체 장치는, 접합 계면측의 표면에 형성되고 또한 제1의 방향으로 연재되는 제1 전극을 갖는 제1 반도체부와, 제1 전극과 접합되고 또한 제1의 방향과 교차하는 제2의 방향으로 연재되는 제2 전극을 가지며, 상기 접합 계면에서 제1 반도체부와 맞붙여서 마련된 제2 반도체부를 구비하고 있다. A semiconductor device includes: a first semiconductor section including a first electrode, the first electrode being formed on a surface located closer to a bonding interface and extending in a first direction; and a second semiconductor section including a second electrode and disposed to be bonded to the first semiconductor section at the bonding interface, the second electrode being bonded to the first electrode and extending in a second direction that intersects with the first direction.